Vishay MOSFET, canale N, 47 mΩ, 64 A, TO247AC, Su foro
Vishay MOSFET, canale N, 47 mΩ, 64 A, TO247AC, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 520 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SiHG64N65E-GE3.