STMicroelectronics MOSFET, canale N, 360 mΩ, 11 A, TO-220, Su foro
4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP13NM60N.STMicroelectronics MOSFET, canale N, 360 mΩ, 11 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 90 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.