STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale
5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 350 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.STMicroelectronics MOSFET, canale P, 90 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STR2P3LLH6.