Toshiba MOSFET, canale N, 33 mΩ, 34 A, SOP Advanced, Montaggio superficiale
Toshiba MOSFET, canale N, 33 mΩ, 34 A, SOP Advanced, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 32 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TPH14006NH.