IXYS MOSFET, canale N, 22 mΩ, 120 A, TO-247, Su foro
26mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IXFH120N20P.IXYS MOSFET, canale N, 22 mΩ, 120 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 714 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 16.