DiodesZetex MOSFET, canale N, 55 mΩ, 4 A, SOT-23, Montaggio superficiale
6V, Dissipazione di potenza massima: 1,2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Tensione diretta del diodo: 1.DiodesZetex MOSFET, canale N, 55 mΩ, 4 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.4V, Tensione di soglia gate minima: 0.