onsemi MOSFET, canale N, 48 mΩ, 5,5 A, SSOT-6, Montaggio superficiale
8V, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDC645N.onsemi MOSFET, canale N, 48 mΩ, 5,5 A, SSOT-6, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.