STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 3 A, TO-220, Su foro
5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 80 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 9.15mm, MPN: STP4NK80Z.STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,5 Ω, 3 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.