Infineon MOSFET, canale N, 5,5 mΩ, 80 A, TO-220, Su foro
Infineon MOSFET, canale N, 5,5 mΩ, 80 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2.1V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IPP80N06S2H5AKSA1.