onsemi MOSFET, canale N, 36 mΩ, 76 A, TO-247, Su foro
onsemi MOSFET, canale N, 36 mΩ, 76 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 543 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 21mm, Lunghezza: 15.95mm, MPN: FCH76N60N.