onsemi MOSFET, canale P, 125 mΩ, 3,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale
onsemi MOSFET, canale P, 125 mΩ, 3,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDC654P.