DiodesZetex MOSFET, canale N, 30 mΩ, 8,7 A, SOIC, Montaggio superficiale
1V, Dissipazione di potenza massima: 1,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.95mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DMN3018SSD-13.DiodesZetex MOSFET, canale N, 30 mΩ, 8,7 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.