onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale P, 90 mΩ, 25 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale P, 90 mΩ, 25 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 75 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -15 V, +15 V, Altezza: 2.38mm, Lunghezza: 6.