onsemi MOSFET, canale N, 125 mΩ, 24 A, TO-247, Su foro
onsemi MOSFET, canale N, 125 mΩ, 24 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Dissipazione di potenza massima: 181 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Lunghezza: 15.87mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FCH125N65S3R0-F155.