onsemi MOSFET, canale N, 6 mΩ, 69 A, SO-8FL, Montaggio superficiale
onsemi MOSFET, canale N, 6 mΩ, 69 A, SO-8FL, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTMFS4C06NT1G.1V, Dissipazione di potenza massima: 30,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.