onsemi MOSFET, canale P, 240 mΩ, 950 mA, SOT-563, Montaggio superficiale
onsemi MOSFET, canale P, 240 mΩ, 950 mA, SOT-563, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 210 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Altezza: 0.7mm, MPN: NTZS3151PT1G.6mm, Lunghezza: 1.