STMicroelectronics MOSFET, canale N, 45 mΩ, 35 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 45 mΩ, 35 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 115 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.