onsemi MOSFET, canale P, 120 mΩ, 3,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale
onsemi MOSFET, canale P, 120 mΩ, 3,7 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 8 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 960 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Altezza: 1.01mm, Lunghezza: 3.04mm, MPN: NTR2101PT1G.