Infineon MOSFET, canale N, 210 mΩ, 9,4 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
Infineon MOSFET, canale N, 210 mΩ, 9,4 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 48 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 2.39mm, MPN: IRFR120NTRLPBF.