onsemi MOSFET, canale P, 34 mΩ, 9,4 A, MicroFET 2 x 2, Montaggio superficiale
onsemi MOSFET, canale P, 34 mΩ, 9,4 A, MicroFET 2 x 2, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Numero pin: 6, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 2,4 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDMA910PZ.