STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,3 Ω, 2,3 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,3 Ω, 2,3 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 500 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 2.4mm, MPN: STD3NK50ZT4.