IXYS MOSFET, canale N, 19 mΩ, 150 A, PLUS247, Su foro
13mm, MPN: IXFX150N30P3.IXYS MOSFET, canale N, 19 mΩ, 150 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 300 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 1,3 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 21.