IXYS MOSFET, canale N, 9 mΩ, 170 A, TO-247, Su foro
IXYS MOSFET, canale N, 9 mΩ, 170 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 714 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 21.46mm, Lunghezza: 16.26mm, MPN: IXFH170N10P.