DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 40 mΩ, 80 mΩ, 2,5 A, 7,8 A, SOIC, Montaggio superficiale
DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 40 mΩ, 80 mΩ, 2,5 A, 7,8 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 1,5 W, Configurazione transistor: Full bridge, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.95mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DMHC3025LSD-13.