Nexperia MOSFET, canale N, 44 mΩ, 4,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale
Nexperia MOSFET, canale N, 44 mΩ, 4,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.9V, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: PMV40UN2R.