STMicroelectronics MOSFET, canale N, 130 mΩ, 13 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 130 mΩ, 13 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 50 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STD10NF10T4.