onsemi MOSFET, canale N, 55 mΩ, 3,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale
onsemi MOSFET, canale N, 55 mΩ, 3,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Tensione di soglia gate minima: 0.45V, Dissipazione di potenza massima: 470 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±8 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTR3C21NZT1G.