Infineon MOSFET, canale N, 7,7 mΩ, 100 A, TO-220, Su foro
Infineon MOSFET, canale N, 7,7 mΩ, 100 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 150 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Lunghezza: 10.36mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IPP075N15N3GXKSA1.