STMicroelectronics MOSFET, canale N, 40 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 40 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.7V, Dissipazione di potenza massima: 350 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STR2N2VH5.