STMicroelectronics MOSFET, canale N, 100 mΩ, 4 A, SOT-223, Montaggio superficiale
8mm, MPN: STN3NF06L.8V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 3,3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Altezza: 1.STMicroelectronics MOSFET, canale N, 100 mΩ, 4 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.