DiodesZetex MOSFET, canale N, 18 mΩ, 80 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
DiodesZetex MOSFET, canale N, 18 mΩ, 80 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Corrente massima continuativa di drain: 50 A (stato), 80 A (fisso), Tensione massima drain source: 55 V, Tipo di package: TO-252 (DPAK), Numero pin: 3 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 3,2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±12 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: DMNH6011LK3-13.