Toshiba MOSFET, canale N, 10,4 mΩ, 60 A, TO-220, Su foro
Toshiba MOSFET, canale N, 10,4 mΩ, 60 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 67 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK40E06N1.