Infineon MOSFET, canale P, 20 mΩ, 70 A, I2PAK (TO-262), Su foro
Infineon MOSFET, canale P, 20 mΩ, 70 A, I2PAK (TO-262), Su foro, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.