Vishay MOSFET, canale P, 9,5 mΩ, 18 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale
Vishay MOSFET, canale P, 9,5 mΩ, 18 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.99mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SI7149ADP-T1-GE3.2V, Dissipazione di potenza massima: 48 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 5.