onsemi MOSFET, canale P, 90 mΩ, 6,7 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
onsemi MOSFET, canale P, 90 mΩ, 6,7 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 12 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.73mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FDD306P.4V, Dissipazione di potenza massima: 52 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 6.