Toshiba MOSFET, canale N, 13,8 mΩ, 60 A, TO-220, Su foro
16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK32E12N1,S1X(S.Toshiba MOSFET, canale N, 13,8 mΩ, 60 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 120 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 98 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.