Vishay MOSFET, canale N, 5 Ω, 3,1 A, TO-220AB, Su foro
41mm, MPN: IRFBG30PBF.Vishay MOSFET, canale N, 5 Ω, 3,1 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 9.01mm, Lunghezza: 10.