onsemi MOSFET, canale N, 47 mΩ, 16 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
onsemi MOSFET, canale N, 47 mΩ, 16 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 50 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 60 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -10 V, +10 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: RFD16N05LSM9A.