STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 660 mΩ, 5,5 A, PowerFLAT 5 x 6 HV, Montaggio superficiale
STMicroelectronics Transistor MOSFET, canale N, 660 mΩ, 5,5 A, PowerFLAT 5 x 6 HV, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.25V, Dissipazione di potenza massima: 48 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STL10N60M6.75V, Tensione di soglia gate minima: 3.