onsemi MOSFET, canale N, 1 Ω, 6 A, TO-220AB, Su foro
onsemi MOSFET, canale N, 1 Ω, 6 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 400 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 73 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.