STMicroelectronics MOSFET, canale N, 279 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STD16N65M5.STMicroelectronics MOSFET, canale N, 279 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 90 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 6.