onsemi MOSFET, canale N, 700 mΩ, 11,5 A, TO-220F, Su foro
onsemi MOSFET, canale N, 700 mΩ, 11,5 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 42 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 16.36mm, MPN: FDPF12N50FT.07mm, Lunghezza: 10.