Infineon MOSFET, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-247, Su foro
Infineon MOSFET, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.5V, Dissipazione di potenza massima: 208 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.