IXYS MOSFET, canale N, 38 mΩ, 80 A, TO-247, Su foro
13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTH80N65X2.IXYS MOSFET, canale N, 38 mΩ, 80 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 2.7V, Dissipazione di potenza massima: 890 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.