STMicroelectronics MOSFET, canale N, 16 Ω, 250 mA, SOT-223, Montaggio superficiale
8mm, MPN: STN1NK80Z.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 2500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 1.STMicroelectronics MOSFET, canale N, 16 Ω, 250 mA, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.