DiodesZetex MOSFET, canale N, 5,3 Ω, 500 mA, SOT-23, Montaggio superficiale
DiodesZetex MOSFET, canale N, 5,3 Ω, 500 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 300 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 1.1mm, Lunghezza: 3mm, MPN: MMBF170-7-F.