Toshiba MOSFET, canale N, 1,4 mΩ, 340 A, SOP, Montaggio superficiale
4V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: TPHR8504PL.4V, Tensione di soglia gate minima: 1.Toshiba MOSFET, canale N, 1,4 mΩ, 340 A, SOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.