onsemi MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-220AB, Su foro
onsemi MOSFET, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 300 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FQP22N30.