STMicroelectronics MOSFET, canale N, 240 mΩ, 13 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 240 mΩ, 13 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 550 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 90 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: +25 V, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STD18N55M5.