DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 100 mΩ, 140 mΩ, 2,1 A, 3,4 A, TSOT-26, Montaggio superficiale
DiodesZetex MOSFET, canale N, P, 100 mΩ, 140 mΩ, 2,1 A, 3,4 A, TSOT-26, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 1,27 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 0.9mm, Lunghezza: 2.9mm, MPN: DMG6602SVT-7.